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局部放电检测仪常见的十五种波形图谱(二)

  上一期讲了局部放电检测仪常见的十五种波形图谱的前五种,这一期我们来将第六到第十种常见的波形。

  ⑥接触不良的干扰图形。
  (图8-20)(接触不良)

  波形特点:对称地分布在实验电压零点两侧,幅值大致不变,但在实验电压峰值附近下降为零。波形粗糙不清晰,低电压下即出现。电压升高时,幅值缓慢增加,有时在电压达到一定值后会完全消失。

  原因:实验回路中金属与金属不良接触的连接点;塑料电缆屏蔽层半导体粒子的不良接触;电容器铝箔的插接片等(可将电容器充电然后短路来消除)。

  ⑦可控硅元件的干扰图形。
  (图8-21)(可控硅元件)

  波形特点:位置固定,每只元件产生一个独立讯号。电路接通,电磁耦合效应增强时讯号幅值增加,试验调压时,该脉冲讯号会发生高频波形展宽,从而占位增加。

  原因:邻近有可控硅元件在运行。

  ⑧继电器、接触器、辉光管等动作的干扰。
  (图8-22)(继电器、接触器、辉光管干扰)

  波形特点:分布不规则或间断出现,同试验电压无关。

  原因:热继电器、接触器和各种火花试验器及有火花放电的记录器动作时产生。

  ⑨荧光灯的干扰图形。
  (图8-23)荧光灯的干扰

  波形特点:栏栅状,幅值大致相同的脉冲,伴有正负半波对称出现的两簇脉冲组。

  原因:荧光灯照明

  ⑩无线电干扰的干扰图形。
  (图8-24)无线电干扰

  波形特点:幅值有调制的高频正弦波,同试验电压无关。

  原因:无线电话、广播话筒、载波通讯等。

  下一期我们来讲局部放电检测仪常见的十五种波形图谱的最后五种。

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